![]() |
||
| Домой | ||
|
Меню:
Главная
AutoCAD
Исследования
МКЭ ANSYS
ANSYS (Басов К. А.)
Справочник AutoCAD
Взаимодействие фронтов
Проблемы охраны
Нелинейная динамика
Параметрический метод
Энерго информационная модель
Математическое моделирование
Институт теории образования
Коллапс волновой функции
Пенсионное обеспечение
Механосплавление металлов
Индуцированный распад
Фильтр
Электропроводность
Построение решения
Численное исследование
Об уравнениях
Нормирование
Фотолиз
Водородная связь
Концептуализация понятия
Термическая перегруппировка
Химическая поляризация
Многолетняя динамика
Индуцированное дефектообразование
Системы среднего
Морфология
Топологические дефекты
Правило Парето
Математическое моделирование
Метод уменьшения
Изменение
Содержание железа
Фауна
Алгоритм
Об идентификации
табличная модель
вероятности по частотам
Структурирование
Расчет
Анализ
Оценка
Частота
Закономерности
Клонируемые компьютеры
радионуклиды
манипуляция
Программная система
Тенденции
Физическая модель
|
[стр.-0] Аномальный сдвиг поля магнитного резонанса в неупорядоченных и неколлинеарных магнетиках Лесных Ю.И. (lyis@yandex.ru ) Тольяттинский государственный университет Монокристаллы системы Cd1-xZnxCr2Se4 являются кубическими спиральными антиферромагнетиками (АФМ) с х > 0,46, ферромагнетиками (FM) с х < 0,35 и спиновыми стеклами (СС) х « 0,4. Для спиновых стекол температура перехода в спин-стекольное состояние Tg « 20 K. Спиновые стекла - это системы с кубической магнито-кристаллической анизотропией. Энергия Ea анизотропии может плавно меняться от 103 до 105 эрг-см-3 в результате легирования небольшим количеством серебра. Образцы с х « 0,46, легированные серебром с концентрацией y = 2 и y = 5 молярных процента (мол.%), являются спиновыми стеклами с температурами перехода Tg=30K и Tg=37K и имеет энергию кубической анизотропии 104 и 105 эрг-см-3 соответственно. Ранее [1] было показано, что для различных спиновых стекол при низких температурах наблюдается экспоненциальный рост ширины линии электронного парамагнитного резонанса так, что Г - Г0 = Aexp(- T)(1) где Г0 - ширина линии при высокой температуре, Г1 и T0 - эмпирические параметры, А1 >> А0. Аномалия Г(Т) при низких температурах интерпретировалась как результат распределения локальных полей, связанных со случайным замерзанием спинов спинового стекла. Однако не существует никакой микроскопической модели, объясняющей наблюдаемые значения T0 и А1 . Было обнаружено, что резонансное поле HR смещается при низких температурах на величину внутреннего v поля H , зависящего от температуры так, что HR =--H , где v и у - частота СВЧ излучения и у гиромагнитное отношение соответственно. Внутреннее поле Ht - не зависит от ориентации кристалла. Оно неизменно положительно, как будто бы направление приложенного поля в любом случае является легкой осью. Этот важный результат не понятен, попытки объяснить это явление были сделаны в [1]. Было предположено, что однонаправленная анизотропия, наведенная в спиновом стекле внешним полем, приводит к возникновению Ht . Что касается спиновых стекол системы Cd1-xZnxCr2Se4 то в них не наблюдается однонаправленной анизотропии при исследовании с помощью магнитометра с вращающимся образцом. В этой системе нет, ни взаимодействия Дзялошинского-Мория (спин-спинового), ни значительного диполь-дипольного взаимодействия, так как кристаллы имеют кубическую симметрию. Магнито-кристаллическая энергия анизотропии не велика и она может меняться путем легирования, поэтому изучение спиновых стекол системы Cd1-xZnxCr2Se4 представляет интерес. Эксперименты проводились с помощью ЭПР спектрометра "X" диапазона. Образцы представляли собой полированные пластинки размером 2x2x0,1 мм3 и 2x2x0,2 мм3. Зависимость ширины линии от пика до пика для спиновых стекол показана на рисунке 1. ![]() Рис.1 Зависимость ширины резонансной линии от температуры "1" - кривая X = 0,43, Ea ~103 эрг-см3 и Tg = 20 К ; "2" - кривая X = 0,43, легированная y = 2 мол.% серебра, Ea ~104 эрг-см3 и Tg = 30 К ; "3" - кривая X = 0,46 , y = 5 мол.% серебра, Ea ~105 эрг-см"3 и Tg = 37 К . Во всех экспериментах V = 9,1 ОГц. Зависимости Г(Т) удовлетворяют соотношению (1) при T > Т и испытывают излом при T ~ Tg . Заметим, что значения примерно равны для разных образцов: Г ~ 10 кЭ для образцов с X = 0,43 и Г ~ 8 кЭ для образцов с X = 0,46 , то есть Г не зависит от анизотропии. Для всех образцов T) < Tg : "1" - кривая T0 «19K; "2" - кривая - кривая T0 ~ 26K . Аналогичные зависимости Г(Т) для неоднородных антиферромагнетиков системы Сй?1 XZnXCr2при T > , но с меньшими значениями Г и T0, где TN - Неелевское время релаксации. Таким образом, Г зависит от неупорядоченности и не зависит от анизотропии. Интенсивность резонансной линии падает с уменьшением температуры. Она обращается в нуль при T * . Значения T* < 0 для спиновых стекол и T* ~ для антиферромагнетиков. Антиферромагнитный резонанс не наблюдается на низких частотах в "X" диапазоне из-за наличия щели в спектре возбуждения, в то время как в спиновых стеклах щели нет. Этот факт может быть использован для построения фазовой диаграммы. Температурная зависимость амплитуды A производной резонансной линии показана на рисунке 2 для спиновых стекол. А, усл.ед ![]() О 30 60 90 120 150 Рис.2 Температурная зависимость интенсивности резонансной линии для спиновых стекол. "1" - кривая X = 0,43; "2" - кривая X = 0,46, y = 2 мол.% серебра; "3" - кривая X = 0,5 , y = 2 мол.% серебра. На рисунке 3 представлена такая же зависимость для антиферромагнетиков. На рисунке 3 представлена такая же зависимость для антиферромагнетиков. ![]() 0 30 60 90 120 150 Рис.3. Температурная зависимость интенсивности резонансной линии для антиферромагнетиков "1" - кривая X = 0,46; "2" - кривая X = 0,5, y = 0,5 мол.% серебра; "3" - кривая X = 0,52; "4" - кривая X = 0,8 . Зависимость T * (x ) показана на рисунке 4. |
Меню:
Стандартизация
Математика
Сапромат
Факторизация
Компьютерное моделирование
Обеспечение отказоустойчивости
Оптимизация доступа
Аномальный сдвиг
Экологические аспекты
Методические подходы
Возмущение ионосферы
основы
Инструментальное средство
Погрешность
Результаты
Изучение дефектов
Зависимость эндотелийзависимости
теплоперенос
Квантование
О дроблении
Экспериментальное изучение
Сравнительная оценка
пластинчатый теплообменник
экосистема
Моделирование
Многоэлектронные эффекты
Синтез
Распространение
Анализ видов
государство
Плотность состояний
Исследование
Квазитрехмерная модель
самшитовый биогеоценоз
временной ряд
вихревое поле
Эндотелийзависмый механизм
Теоретическое описание
коронирующий провод
построение модели
электрическое поле
формализм
Отклонения
Инновационное замещение
Динамика численности
сегрегация
среда обитания
специальный подход
инновационная деятельность
температура
Фоновая неоднородность
Цифровая обработка
Потенциалы
Связанность
|
|
|
||