![]() |
||
| Домой | ||
|
Меню:
Главная
AutoCAD
Исследования
МКЭ ANSYS
ANSYS (Басов К. А.)
Справочник AutoCAD
Взаимодействие фронтов
Проблемы охраны
Нелинейная динамика
Параметрический метод
Энерго информационная модель
Математическое моделирование
Институт теории образования
Коллапс волновой функции
Пенсионное обеспечение
Механосплавление металлов
Индуцированный распад
Фильтр
Электропроводность
Построение решения
Численное исследование
Об уравнениях
Нормирование
Фотолиз
Водородная связь
Концептуализация понятия
Термическая перегруппировка
Химическая поляризация
Многолетняя динамика
Индуцированное дефектообразование
Системы среднего
Морфология
Топологические дефекты
Правило Парето
Математическое моделирование
Метод уменьшения
Изменение
Содержание железа
Фауна
Алгоритм
Об идентификации
табличная модель
вероятности по частотам
Структурирование
Расчет
Анализ
Оценка
Частота
Закономерности
Клонируемые компьютеры
радионуклиды
манипуляция
Программная система
Тенденции
Физическая модель
|
[стр.-0] Расчет поля в окисле тантала в процессе гальвано статического окисления Авдеев Н.А. (navdeev @psu.karelia.ru), Савенков Г.Ю. Петрозаводский Государственный Университет Введение Взаимосвязь между ионным током и напряженностью поля в гальваностатическом режиме окисления тантала была впервые экспериментально обнаружена Гюнтершульце и Бетцем [1]. j = A exp(BE)(1) где j - плотность тока, а А и B - зависящие от температуры константы. Общее уравнение, учитывающее сильные и слабые поля, имеет вид j = 2a sh be. Для слабых полей оно переходит в j = 2abe (закон Ома) и для сильных полей в уравнение Гюнтершульца и Бетца (1). Из приведенных выше уравнений следует, что зависимость e ~ ln j должна быть линейной. Наклон этой прямой дЕ / д ln j называется коэффициентом Тафеля по аналогии для обычных электродных процессов. Экспоненциальная зависимость объяснялась влиянием поля на высоту потенциальных барьеров, которые контролируют скорость перемещения внедрённых ионов по междоузлиям в объеме окисла и может быть представлена выражением j = 2aCMvq exp[-(W - zFas)/RT ](2) где j -плотность ионного тока, а - полуширина барьера, cm - концентрация ионов в плёнке, v - частота колебаний ионов, w - энергия активации при нулевом поле, z - заряд иона, f - постоянная Фарадея. Позднее Мотт и Кабрера [2] предположили, что процесс анодного роста окисла определяется скоростью образования ионов на границе металл/плёнка. В этом случае, выражение для тока имеет вид: j = Cm , svsq exp[-(W-zFrte)/RT ](3) где Cm,s - концентрация ионов на границе окисла, vs - частота колебаний, W -энергия активации ионов при нулевом поле, а - полуширина барьера. Представленные модели достаточно подробно описаны в литературе [3,4] и активно используются в настоящее время для описания процесса электрохимического окисления, сопровождающегося образованием окисла на поверхности электрода. Несмотря на широкое применение этих моделей, оказалось, что их использование приводит к расхождению с экспериментом: во-первых, уравнения (1)-(3) предсказывают, что график зависимости энергии активации W - qaE от напряженности электрического поля должен быть линейным, а предэкспоненциальный множитель А не зависит от E. Однако, слабое искривление зависимости Тафеля в эксперименте с танталом объясняется тем, что энергия активации - нелинейная функция от приложенного поля и, что а, также зависит от напряженности поля. во-вторых, наклон Тафеля, (SE/dln j), который определяется выражением kT/qaE, должен быть пропорционален абсолютной температуре, что не наблюдается при окислении поверхности, например, тантала, ниобия и циркония. В настоящее время отсутствует удовлетворительное объяснение приведенных расхождений. Очевидно, требуются привлечение более реальных моделей [5]. В данной работе процесс анодного окисления рассматривается с позиций модели, учитывающей одновременное влияние условий дрейфового переноса ионов через объем, образующей окисной фазы, и электрохимического потенциала на границах окисла. Определяется вклад заряда подвижных ионов. 1. Теоретическая модель В представленной работе процесс анодного окисления рассматривается с точки зрения миграционного механизма переноса ионов, окисляющих поверхность металла. Это могут быть, например, ионы О-2 OH--, проникающие сквозь пленку [6]. Присутствие отрицательного заряда в анодных окислах в процессе их роста обнаружено экспериментально в работе [7]. В предлагаемых расчетах, определяется совместное решение для миграционного тока и уравнения Пуассона. Воспользуемся соотношением для потока ионов j = qp- c( x)e (x) = const(4) Величину напряженности поля можно представить выражением e (x) =--гт(5) q - p - c( x) После дифференцирования получаем соотношение de (x) = j dc( x) dx qp - c( x)2 dx которое, используя уравнение Пуассона de ( x) qc( x) (6) dx 4tzss0 (7) можно преобразовать к виду dx 4nss0 - j решение этого уравнения запишется в виде dc(x) + q2 -p-c(x)3 = 0 j - 4nss0 2q2 p- (x + x0) (9) где „ n j- 4nss0 x0 = -C1 Подстановка соотношения (9) в уравнение Пуассона (7), позволяет определить зависимость напряженности поля от координаты. е ( X): 2j (X + X0)(10) Л 4nss0 Для поиска константы С1 можно воспользоваться соотношением определяющим концентрацию сь активных ионов через и концентрационное перенапряжение гц у границы окисла где происходит электрохимическая реакция [8]. c( L) = c0exp qn(11) kt Приравняв соотношения (9) и (11) в точке x = L, находим вид постоянной x0. х = j - 4nss0L(12) X0 =-о--L 2q /л- c0 exp--kT Подставляя значение x0 в выражение (10), получаем зависимость, определяющую распределение напряженности поля по координате внутри растущего окисла e ( x ) 2- j(X-L) -rj2-2expf-2qn1](13) 2. Результаты Интерпретация полученных выражений на основе принятой модели требует проведения численной оценки и сравнения с экспериментальными данными, представленными в работе Юнга [3]. Расчеты зависимости E ~ Ln j проводились для электрохимического окисления тантала, так как в этом случае ток через растущий окисел на 100% определяется переносом ионов. Порядок величины потенциала гц ~ (0.2 В) можно определить, используя данные, приведенные в [3]. Оценка значения постоянной скорости химической реакции производится по кинетическим зависимостям роста окисной пленки Ta2O5 [9]. Подстановка этих значений в выражение (13) позволяет рассчитать и построить зависимость в координатах Тафеля dE/dLn j, провести сравнение с экспериментальными результатами, представленными в работе Юнга [3]. Результаты расчета приведены на рис. 1. В области малых плотностей тока, когда заряд в окисле незначителен расчитанная зависимость (13), хорошо спрямляется в координатах E ~ Ln j и практически линейна. Заметное отклонение расчетного графика (рис.1.) от линейности наблюдается при больших токах, начиная со значений (lgj = -3), что соответствует плотности тока j = 10 mA/cm2. Расчетная зависимость Тафеля, построенная без учета поля, обусловленного зарядом подвижных ионов, приводила к значительному отклонению графика от типичного вида кривых, полученных на основе экспериментальных значений (рис.1 зависимость 4). Экспериментальные результаты для определения наклона Тафеля приведены в координатах U ~ Ln j, поэтому для сравнения выражение (13) было преобразовано в зависимость между током и падением напряжения на окисле. В этом случае напряжение определяется как интеграл по толщине u(х) = je(x)dx + u0 . Зависимость между током и напряжением, рассчитанная |
Меню:
Стандартизация
Математика
Сапромат
Факторизация
Компьютерное моделирование
Обеспечение отказоустойчивости
Оптимизация доступа
Аномальный сдвиг
Экологические аспекты
Методические подходы
Возмущение ионосферы
основы
Инструментальное средство
Погрешность
Результаты
Изучение дефектов
Зависимость эндотелийзависимости
теплоперенос
Квантование
О дроблении
Экспериментальное изучение
Сравнительная оценка
пластинчатый теплообменник
экосистема
Моделирование
Многоэлектронные эффекты
Синтез
Распространение
Анализ видов
государство
Плотность состояний
Исследование
Квазитрехмерная модель
самшитовый биогеоценоз
временной ряд
вихревое поле
Эндотелийзависмый механизм
Теоретическое описание
коронирующий провод
построение модели
электрическое поле
формализм
Отклонения
Инновационное замещение
Динамика численности
сегрегация
среда обитания
специальный подход
инновационная деятельность
температура
Фоновая неоднородность
Цифровая обработка
Потенциалы
Связанность
|
|
|
||