![]() |
||
| Домой | ||
|
Меню:
Главная
AutoCAD
Исследования
МКЭ ANSYS
ANSYS (Басов К. А.)
Справочник AutoCAD
Взаимодействие фронтов
Проблемы охраны
Нелинейная динамика
Параметрический метод
Энерго информационная модель
Математическое моделирование
Институт теории образования
Коллапс волновой функции
Пенсионное обеспечение
Механосплавление металлов
Индуцированный распад
Фильтр
Электропроводность
Построение решения
Численное исследование
Об уравнениях
Нормирование
Фотолиз
Водородная связь
Концептуализация понятия
Термическая перегруппировка
Химическая поляризация
Многолетняя динамика
Индуцированное дефектообразование
Системы среднего
Морфология
Топологические дефекты
Правило Парето
Математическое моделирование
Метод уменьшения
Изменение
Содержание железа
Фауна
Алгоритм
Об идентификации
табличная модель
вероятности по частотам
Структурирование
Расчет
Анализ
Оценка
Частота
Закономерности
Клонируемые компьютеры
радионуклиды
манипуляция
Программная система
Тенденции
Физическая модель
|
[стр.-2] в процессе облучения. Последующая «идеализация » структуры при спекании заготовок и образовании керамики, несомненно, затруднит радиационно-стимулированное дефектообразование. Тот факт, что возникшие на стадии обработки пресспорошка РД сохраняются в процессе спекания заготовок и последующего изготовления измерительных образцов может быть обусловлен спецификой использованного при спекании метода горячего прессования, при котором обжиг производят при относительно невысоких температурах спекания Тсп, в замкнутом объеме, с приложением давления, что, препятствуя полному отжигу как собственных, так и создаваемых дефектов, благоприятствует «консервации» ранее возникшей дефектной ситуации. Несмотря на то, что интенсивному облучению подвергается поверхностный слой ( толщиной 0,5 -1 мм) образца, результаты исследования физических свойств материала свидетельствуют об изменении «объемных» характеристик. Это, вероятно, является следствием возникновения в поверхностном слое в результате насыщения его дефектами внутреннего радиационно-индуцируемого электрического поля объемного заряда и влияния его на сегнетоактивные диполи [6]. На основе полученных данных выбран оптимальный режим рентгеновского облучения (1,5 ч.<т < 2,5 ч.) СПК указанного состава, обеспечивающий экстремальность механической добротности Qm ( характеризующей степень сегнетожесткости) и радиационную стойкость таких параметров, как е 33/е0 , d31, kp, pv [7]. Облучение менее 1 ,5 ч. и более 2,5 ч. приводит к резкому ухудшению электрических характеристик и их радиационной неустойчивости, в связи с чем является нежелательным. Вывод. Показана возможность путем радиационно- стимулированного дефектообразования в ТР на основе НН изменять их фазовое состояние и влиять на электрические характеристики, в т.ч., степень сегнетожесткости. Это может быть использовано для получения СПК с повышенными значениями Qm. Работа выполнена при частичной поддержке Российского Фонда Фундаментальных Исследований ( грант № 99 - 02 - 17575 ) Литература: 1 . Дж. Динс, Дж. Винйард. Радиационные эффекты в твердых телах. М.: ИЛ, 1960. 2.Кочетыгов В.В., Писаренко Г.Г., Холопов В.С., Федченко Е.Д. Влияние -облучения на динамическую прочность пьезоэлементов из материалов ЦТБС - 3 и ЦТСНВ - 1 . Проблемы прочности. Киев, 1977,№12, с. 73-75. 3.Справочник по электротехническим материалам. Под ред. Корицкого Ю.В., Пасынкова В.В., Тареева Б.М., 1974, т. 2, М., «Энергия», с. 478-479. 4.Соловьев С. П., Кузьмин И. И. Радиационная физика сегнетоэлектриков типа титината бария. - Изв. АН СССР, сер. физ., 1970, т.34, №12, с.2604-2611. 5.Соловьев С. П., Кузьмин И. И., Закуркин В. В. Радиационные эффекты в титанате бария. - В кн.: Титанат бария. М.: Наука, 1973. - с. 73-86. 6.Шнейдер Э.Я., Бородин В.З., Гах С.Г., Бирюкова Т.В., Пинская А.Н., Экнадиосянц Е.И., Шинатов Э.Г. Модифицирование сегнетоэлектрических кристаллов методами ионной имплантации. -В кн.: Тез. док! межотраслевой конференции «Состояние и перспективы развития методов получения и анализа ферритовых, сегнето-, пьезоэлектрических, конденсаторных и резистивных материалов и сырья для них». Донецк, 1978, с.75. 7. Фесенко Е.Г., Данцигер А.Я., Разумовская О.Н. Новые пьезокерамические материалы. Ростов - на - Дону, Изд-во РГУ, 1983, 156с. |
Меню:
Стандартизация
Математика
Сапромат
Факторизация
Компьютерное моделирование
Обеспечение отказоустойчивости
Оптимизация доступа
Аномальный сдвиг
Экологические аспекты
Методические подходы
Возмущение ионосферы
основы
Инструментальное средство
Погрешность
Результаты
Изучение дефектов
Зависимость эндотелийзависимости
теплоперенос
Квантование
О дроблении
Экспериментальное изучение
Сравнительная оценка
пластинчатый теплообменник
экосистема
Моделирование
Многоэлектронные эффекты
Синтез
Распространение
Анализ видов
государство
Плотность состояний
Исследование
Квазитрехмерная модель
самшитовый биогеоценоз
временной ряд
вихревое поле
Эндотелийзависмый механизм
Теоретическое описание
коронирующий провод
построение модели
электрическое поле
формализм
Отклонения
Инновационное замещение
Динамика численности
сегрегация
среда обитания
специальный подход
инновационная деятельность
температура
Фоновая неоднородность
Цифровая обработка
Потенциалы
Связанность
|
|
|
||